Samsung, 14 nm FinFET sürecini kullanan işlemcilerin seri üretimine yakın zamanda başladı ancak şimdiden geleceğe hazırlanıyor ve 10 nm teknolojisini denemeye başlıyor ve söylendiği gibi 5 nm teknolojisi bile bizim için büyük bir sorun değil. BT. Şirket, önümüzdeki birkaç yıl içinde kullanacağı 2015 nm teknolojisi kullanılarak üretilen işlemcilerin prototiplerini sunduğu ISSCC 10 konferansında bu ilginç gerçekleri ortaya çıkardı. Aynı zamanda Kinam Kim, Samsung'un gelecekte Moore Yasası eşiğinde olan bir süreci kullanarak işlemci üreteceğini doğruladı.
Ancak görünen o ki Samsung'un Gordon Moore'un belirlediği sınırı aşarak daha da küçük ve ekonomik çipler üretmesine engel olacak bir şey yok. Şirket, gelecekte 3,25 nm üretim sürecini kullanan işlemciler üretmeye başlayabileceğinin sinyalini verdi. Ancak Intel, 7 nm sınırının altında silikon kullanmanın artık mümkün olmadığını açıkladığından, hangi malzemeyi kullanacağı sorusu hala geçerliliğini koruyor. Bu nedenle InGaAs kısaltmasıyla bilinen İndiyum-Galyum-Arsenit yardımıyla çip üretmeyi planlıyor. Ancak mevcut 14 nm FinFET sürecinde hala silikon kullanabiliyor. İkincisi bir yandan ön talaşların üretiminde kullanılır Galaxy S6'yı ön çip üretmek için de kullanacak iPhone 6s ve Qualcomm. Daha düşük çip tüketimi nedeniyle IoT ürünlerinde 10 nm süreci kullanılarak üretilen işlemcileri kullanmayı planlıyor. Ancak bu cihazlar 2016 ve 2017'nin başında ortaya çıkacak.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", ZoneId: 47926, w: 600, y: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", ZoneId: 47925, w: 600, y: 190 };
*Kaynak: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
