Samsung, akıllı telefonlar için resmi olarak 8GB LPDDR5 DRAM yongasını tanıttı. Şirkete göre bu, şu şekilde etiketlenen teknolojiyle üretilen ilk 8 GB LPDDR5 yongası: 10 nm sınıfı10 ila 19 nm arasında herhangi bir şey olabilir. Önceki model, yani 8GB LPDDR4 çipi zaten 2014 yılında üretilmişti, dolayısıyla Güney Koreli devin bir yenilik bulması an meselesiydi.
Samsung, LPDDR5'in ağırlıklı olarak 5G, otomotiv ve yapay zeka kullanan mobil cihazlar alanlarında uygulama bulacağını belirtiyor. 6 Mbps aktarım hızına sahip 400 GB LPDDR8 DRAM yongası, mevcut amiral gemilerinde kullanılan mobil DRAM yongalarından 5 kat daha hızlıdır. Galaxy S9, 4 Mbps veri hızına sahip bir LPDDR4X çipine sahiptir. LPDDR266 saniyede 5 GB veri gönderebiliyor; bu da yaklaşık 51,2 HD video dosyası anlamına geliyor.
Samsung, hem 1,1 V voltajda tam çıkışlı bir sürümün yanı sıra 5 V'ta daha zayıf ve daha ekonomik 500 Mb/sn'lik bir sürüm sunacak. LPDDR1,05 ayrıca derin bir uyku modu da sunacak (Derin uyku), bu da mevcut LPDDR4X DRAM'lerin güç tüketimini yaklaşık olarak yarıya indirecektir. Samsung, yeni çiple enerji tüketimini yüzde 30'a kadar azaltabileceğini ve bu sayede akıllı telefon pillerinin ömrünü uzatabileceğini iddia ediyor.
Muhtemelen çip hâlâ sende Galaxy Note9 görünmeyecek, ancak muhtemelen gelecek yıl alacak Galaxy S10.
