Yarı iletken bölümü Samsung Foundry, Hwasong'daki fabrikasında 3nm yonga üretimine başladığını duyurdu. Koreli dev, FinFet teknolojisini kullanan önceki nesilden farklı olarak artık enerji verimliliğini önemli ölçüde artıran GAA (Her Yerde Kapı) transistör mimarisini kullanıyor.
MBCFET (Çok Köprülü Kanal) GAA mimarisine sahip 3nm yongalar, diğer şeylerin yanı sıra, besleme voltajını azaltarak daha yüksek enerji verimliliği elde edecek. Samsung ayrıca yüksek performanslı akıllı telefon yonga setleri için yarı iletken yongalarda nanoplaka transistörleri kullanıyor.
Fotoğraf Galeri
Nanotel teknolojisiyle karşılaştırıldığında daha geniş kanallara sahip nanoplakalar daha yüksek performans ve daha iyi verimlilik sağlar. Samsung müşterileri, nanoplakaların genişliğini ayarlayarak performansı ve güç tüketimini kendi ihtiyaçlarına göre ayarlayabilir.
İlginizi çekebilir
Samsung'a göre yeni çipler, 5nm çiplerle karşılaştırıldığında yüzde 23 daha yüksek performansa, yüzde 45 daha düşük enerji tüketimine ve yüzde 16 daha küçük alana sahip. Bu durumda 2. nesil %30 daha iyi performans, %50 daha yüksek verimlilik ve %35 daha küçük alan sunacaktır.
"Samsung, yeni nesil teknolojilerin üretimde uygulanmasında liderlik göstermeye devam ederken hızla büyüyor. Bu liderliğimizi MBCFETTM mimarisiyle ilk 3nm süreciyle sürdürmeyi hedefliyoruz. Rekabetçi teknoloji gelişmelerinde aktif olarak yenilik yapmaya ve teknoloji olgunluğuna ulaşmayı hızlandırmaya yardımcı olacak süreçler yaratmaya devam edeceğiz.” Samsung'un yarı iletken iş birimi başkanı Siyoung Choi dedi.
